信息通信技术与政策

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信息通信技术与政策 ›› 2021, Vol. 47 ›› Issue (5): 53-59.doi: 10.12267/j.issn.2096-5931.2021.05.011

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基于氮化镓全球专利布局特点推进我国氮化镓产业创新发展

Promoting the innovation and development of China’s GaN industry based on the characteristics of GaN global patent distribution

王潇, 王晶, 王莎, 李文宇   

  1. 1. 中国信息通信研究院知识产权中心,北京 100191;
    2. 中国信息通信研究院技术与标准研究所,北京 100191
  • 出版日期:2021-05-15 发布日期:2021-06-07
  • 通讯作者: 王潇:中国信息通信研究院知识产权中心高级研究员,主要从事集成电路、移动互联网、工业互联网、移动终端等领域的知识产权发展趋势、企业知识产权实务、热点知识产权事件等研究工作
    王晶:中国信息通信研究院技术与标准研究所高级研究员,主要从事ICT 领域技术发展趋势、企业战略规划等研究工作
    王莎:中国信息通信研究院知识产权中心高级研究员,主要从事ICT 领域产业法律制度、企业知识产权等研究工作
    李文宇:中国信息通信研究院知识产权中心主任,主要从事ICT 领域知识产权交易、知识产权诉讼、企业合规等研究工作

WANG Xiao, WANG Jing, WANG Sha, LI Wenyu   

  1. 1. Intellectual Property Center, China Academy of Information and Communications Technology, Beijing 100191, China;
    2. Institute of Technology and Standards, China Academy of Information and Communications Technology, Beijing 100191, China)
  • Online:2021-05-15 Published:2021-06-07

摘要: 由于横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS)器件物理层面已处于极限状态,因此5G 基站采用了射频氮化镓器件取代LDMOS 器件。氮化镓属于宽禁带半导体,可承受更高的工作电压,工作温度和功率密度,因而其能耗、频率等方面品质更优。从年度申请量、申请人、地域分布、技术分布等多个角度对全球氮化镓及氮化镓功率放大器的专利布局进行分析,基于专利数据特点,从专利层面提出推动我国氮化镓企业知识产权能力建设的建议。

关键词: 氮化镓, 氮化镓功率放大器, 专利

Abstract: Due to the physical limit of LDMOS devices, 5G(5th generation mobile networks) base stations began to use RF GaN devices to replace LDMOS devices. As a wide band gap semiconductor, gallium nitride can withstand higher operating voltage, which means that its power density and working temperature are higher. Therefore, it has the characteristics of high-power density, low energy consumption, high frequency and wide bandwidth. This paper analyzes the global patent distribution of GaN and GaN power amplifier from the perspectives of annual applications, applicants, geographical distribution, and technology distribution. Based on the characteristics of patent data, this paper gives some suggestions to promote the construction of intellectual property capacity of GaN enterprises in China.

Key words: GaN, GaN power amplifier, patent